手持ちの主なダイオード (2015/02/23)
1SS120:シリコンエピタキシャルプレーナ形ダイオード・高速スイッチング用
絶対最大定格
頭逆電圧 VRM 70 V
逆電圧 VR 60 V
平均整流電流 IO 150 mA
せん頭順電流 IFM 450 mA
サ-ジ順電流 IFSM 1 A
許容損失 Pd 250 mW
接合部温度 Tj 175 °C
保存温度 Tstg ?65~+175 °C
電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件
逆電流 IR - - 0.1 μA VR = 60V
順電圧 VF - - 0.8 V IF = 10mA
端子間容量 C- - 3.0 pF VR = 1V, f = 1MHz
逆回復時間 3.5 ns IF = 10mA,
(VR = 6V, RL = 50Ω)
1N4448:高速スイッチングダイオード
絶対最大定格
頭逆電圧 VRM 75 V
逆電圧 VR 75 V
平均整流電流 IO 200 mA
せん頭順電流 IFM 450 mA
サ-ジ順電流 IFSM 1 A
許容損失 Pd 500 mW
接合部温度 Tj 200 °C
保存温度 Tstg ?65~+200 °C
電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件
逆電流 IR 25 nA VR = 25V
順電圧 VF 1.0 V IF = 10mA
端子間容量 C 4.0 pF VR = 0V, f = 1MHz
逆回復時間 4.0 ns IF = 10mA,
(IR = 60mA, RL = 100Ω)
1SS97:シリコンエピタキシャルショットキーバリヤダイオード UHFミキサー
逆電圧 VR 10 V
順電流 IF 35mA
許容損失 Pd 150 mW
接合部温度 Tj 150 °C
保存温度 Tstg ?65~+175 °C
電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件
逆電流 IR 25 nA VR = 10V
順電圧 VF 0.46~0.55V IF = 10mA
端子間容量 Ct 1.0 pF VR = 0V, f = 1MHz
1N60: 点接触型ゲルマニウムダイオード
逆電圧 VR 25 V
順電流 IF 50mA
許容損失 Pd 50 mW
電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件
逆電流 IR 75 uA VR = 10V
順電圧 VF 1V IF =3mA
SD46: 点接触型ゲルマニウムダイオード
逆電圧 VR 50 V
順電流 IF 30mA
許容損失 Pd 50 mW
電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件
逆電流 IR 1.5mA VR = 50V
順電圧 VF 1V IF =3mA
1S953: 高速スイッチング・シリコンエピタキシャルプレーナーダイオード
頭逆電圧 VRM 35 V
逆電圧 VR 30 V
順電流 IF 100mA
許容損失 Pd 500 mW
接合部温度 Tj 200 °C
電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件
順電圧 VF ? 0.8 1.0 V IF = 30mA
端子間容量 C ? 2.0 4.0pF VR = 0V, f = 1MHz
逆回復時間 2.0 3.0 ns
(IF = 10mA, VR=6V,RL = 100Ω)
1S1588: 超高速スイッチング・シリコンエピタキシャルプレーナーダイオード
頭逆電圧 VRM 35 V
逆電圧 VR 30 V
順電流 IF 120mA
許容損失 Pd 300 mW
接合部温度 Tj 175 °C
電気的特性
(Ta = 25°C)
項目 記号 Min Typ Max 単位 測定条件
順電圧 VF 1.3 V IF = 100mA
端子間容量 C 3.0 pF VR = 0V, f = 1MHz
逆回復時間 4.0 ns
(IF = 10mA, VR=6V,RL = 100Ω)
VO6E: 日立
・パッケージ: | VO6C | VO6E | VO6G | VO6J |
・最大定格/VRRM: | 200V | 400V | 600V | 800V |
・最大定格/IFSM(50Hz): | 35A ( Without PIV, 10ms conduction, Tj = 175°C start ) | |||
・最大定格/IO: | 1.1A (Single-phase half sine wave 180° conduction TL = 90°C, Lead length = 10mm ) | |||
・VFM(max): | 1.4V | |||
・VFM条件IFM: | 1.1A | |||
・熱抵抗Rth(j-a)(max): | 80℃/W | |||
・熱抵抗Rth(j-l)(max): | 50℃/W | |||
・逆回復時間: | Trr=3μS(If=2mA Vr=-15V) |
NEC | |
RD7B | NEC 金属タイプ 1w Vz= 7V |
05Z5.6 | |